В связи с непрерывным развитием крупномасштабных интегральных схем процесс производства микросхем становится все более сложным, а аномальная микроструктура и состав полупроводниковых материалов препятствуют повышению выхода годных микросхем, что создает большие проблемы при внедрении новых технологий полупроводников и интегральных схем.
GRGTEST предоставляет комплексный анализ и оценку микроструктуры полупроводниковых материалов, чтобы помочь клиентам улучшить процессы производства полупроводников и интегральных схем, включая подготовку профиля на уровне пластины и электронный анализ, комплексный анализ физических и химических свойств материалов, связанных с производством полупроводников, разработку и реализацию программы анализа загрязняющих веществ в полупроводниковых материалах.
Полупроводниковые материалы, органические низкомолекулярные материалы, полимерные материалы, органические/неорганические гибридные материалы, неорганические неметаллические материалы
1. Подготовка профиля кристалла на уровне пластины и электронный анализ, основанные на технологии сфокусированного ионного пучка (DB-FIB), точной резке локальной области кристалла и электронной визуализации в реальном времени, позволяют получить структуру профиля кристалла, состав и другую важную информацию о процессе;
2. Комплексный анализ физико-химических свойств материалов для производства полупроводников, включая органические полимерные материалы, материалы с малыми молекулами, анализ состава неорганических неметаллических материалов, анализ молекулярной структуры и т. д.;
3. Разработка и реализация плана анализа загрязняющих веществ для полупроводниковых материалов. Он может помочь клиентам полностью понять физические и химические характеристики загрязняющих веществ, включая: анализ химического состава, анализ содержания компонентов, анализ молекулярной структуры и другие анализы физических и химических характеристик.
Услугатип | Услугапредметы |
Анализ элементного состава полупроводниковых материалов | l Элементный анализ EDS, l Элементный анализ с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) |
Анализ молекулярной структуры полупроводниковых материалов | l Анализ инфракрасного спектра FT-IR, l Рентгеноструктурный спектральный анализ (РФА), l Ядерный магнитно-резонансный анализ поп-музыки (H1NMR, C13NMR) |
Микроструктурный анализ полупроводниковых материалов | l Анализ среза с помощью двойного сфокусированного ионного пучка (DBFIB), l Для измерения и наблюдения микроскопической морфологии использовалась сканирующая электронная микроскопия с полевой эмиссией (FESEM), l Атомно-силовая микроскопия (АСМ) для наблюдения за морфологией поверхности |