Анализ микроструктуры и оценка полупроводниковых материалов
Введение в сервис
С непрерывным развитием крупномасштабных интегральных схем процесс производства чипов становится все более и более сложным, а аномальная микроструктура и состав полупроводниковых материалов препятствуют повышению производительности чипов, что создает большие проблемы для внедрения новых полупроводниковых и интегральных схем. схемные технологии.
GRGTEST обеспечивает комплексный анализ и оценку микроструктуры полупроводниковых материалов, чтобы помочь клиентам улучшить процессы полупроводников и интегральных схем, включая подготовку профиля уровня пластины и электронный анализ, комплексный анализ физических и химических свойств материалов, связанных с производством полупроводников, разработку и внедрение анализа загрязнений полупроводниковых материалов. программа.
Объем услуг
Полупроводниковые материалы, органические низкомолекулярные материалы, полимерные материалы, органические/неорганические гибридные материалы, неорганические неметаллические материалы.
Сервисная программа
1. Подготовка профиля уровня пластины чипа и электронный анализ на основе технологии сфокусированного ионного луча (DB-FIB), точной резки локальной области чипа и электронного изображения в реальном времени, позволяют получить структуру профиля чипа, состав и другие данные. важная информация о процессе;
2. Комплексный анализ физических и химических свойств материалов для изготовления полупроводников, включая органические полимерные материалы, низкомолекулярные материалы, анализ состава неорганических неметаллических материалов, анализ молекулярной структуры и т. д.;
3. Разработка и реализация плана анализа загрязнений полупроводниковых материалов.Он может помочь клиентам полностью понять физические и химические характеристики загрязняющих веществ, включая: анализ химического состава, анализ содержания компонентов, анализ молекулярной структуры и анализ других физических и химических характеристик.
Сервисные товары
| Услугатип | Услугапредметы |
| Анализ элементного состава полупроводниковых материалов | l ЭДС элементный анализ, l Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) элементный анализ |
| Анализ молекулярной структуры полупроводниковых материалов | l ИК-Фурье-спектральный анализ, l Рентгеноструктурный (XRD) спектроскопический анализ, l Поп-анализ ядерного магнитного резонанса (H1NMR, C13NMR) |
| Анализ микроструктуры полупроводниковых материалов | l Анализ срезов двойным сфокусированным ионным лучом (DBFIB), l Сканирующая электронная микроскопия с полевой эмиссией (FESEM) использовалась для измерения и наблюдения микроскопической морфологии, l Атомно-силовая микроскопия (АСМ) для наблюдения за морфологией поверхности |
